一种高压二极管封装制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201811441764.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585314A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585314A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L21/60（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴强德 | 申请（专利权）人 | 嘉兴实新企业服务有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314001 浙江省嘉兴市南湖区耀城广场11、12幢11-301室-137 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高压二极管封装制造工艺，首先将高压二极管芯片经过酸腐蚀，与经过涂有助焊剂的引线在高温链式炉中焊接，焊接后浸泡在活化剂中，利用超声波清洗助焊剂，焊接过程中无需通入氢气，避免由于氢气爆炸造成的人身伤害事故，该封装工艺无任何安全隐患，加工后的产品性能稳定、可靠。 |
