一种片式功率二极管封装工艺
基本信息
| 申请号 | CN201811442266.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585407A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585407A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L23/495（2006.01）I; H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴强德 | 申请（专利权）人 | 嘉兴实新企业服务有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314001 浙江省嘉兴市南湖区耀城广场11、12幢11-301室-137 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种片式功率二极管封装工艺，包括焊接、塑封、成型、电镀和自动检测、印字和包装，片式功率二极管封装设计尺寸为：5.8mm*2.7mm*1.8mm，PN结两级采用铜框架底部平面引脚工艺。因为铜框架散热能力强，能够长时间在高温环境中正常工作，同时在缩小器件封装体积情况下，通过减小器件的热阻，提高了器件自身的散热性能。此外，封装外形的超小型体积和超薄型器件高度，能够更方便应用在空间受限的场合下实现PCB板的插贴混装设计，提高单位面积的零件密度使整机产品做得更小更薄。 |
