一种台面型二极管的加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN201811441763.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585569A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585569A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴强德 | 申请（专利权）人 | 嘉兴实新企业服务有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314001 浙江省嘉兴市南湖区耀城广场11、12幢11-301室-137 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→光刻沟槽→腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。该发明通过按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽将台面结构二极管PN结几何形状腐蚀出成圆形状，圆形具有平缓的弧形表面，可以有最高的击穿电压，有效的提高了器件的击穿电压效果。 |
