一种二极管腐蚀清洗工艺

基本信息

申请号 CN201811441786.5 申请日 -
公开(公告)号 CN109585271A 公开(公告)日 2019-04-05
申请公布号 CN109585271A 申请公布日 2019-04-05
分类号 H01L21/02(2006.01)I; H01L21/306(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴强德 申请(专利权)人 嘉兴实新企业服务有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 314001 浙江省嘉兴市南湖区耀城广场11、12幢11-301室-137
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种二极管腐蚀清洗工艺,所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面,使芯片侧面形成钝化保护层,钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质,金属离子,颗粒沾污。本发明的优点在于:添加热水冲水浸泡工艺,使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解,提升清洗效果,从而降低因芯片表面沾污而导致的产品漏电流,提升产品的良率及可靠性。