集成磁隔离芯片的边沿检测电路及边沿转换电路

基本信息

申请号 CN201921367598.2 申请日 -
公开(公告)号 CN210958308U 公开(公告)日 2020-07-07
申请公布号 CN210958308U 申请公布日 2020-07-07
分类号 H03K5/125(2006.01)I;H03K5/06(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;罗和平;程瑜;李威 申请(专利权)人 宜宾市叙芯半导体有限公司
代理机构 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 代理人 宜宾市叙芯半导体有限公司
地址 644000四川省宜宾市叙州区城北新区青龙街2号1栋11层1号
法律状态 -

摘要

摘要 集成磁隔离芯片的边沿检测电路和边沿转换电路,涉及集成电路技术。本实用新型包括:第一PMOS管,其源极接参考高电平,漏极接第二PMOS管的源极,栅极接信号输入端和第一输出点;第二PMOS管,其漏极接第二参考点,其栅极接第三PMOS管的栅极和漏极;第三PMOS管,其源极接参考高电平,其漏极通过第一电流源接地;第四NMOS管,其源极接地,栅极和漏极接第五NMOS管的栅极,漏极还接第二电流源的输出端;第五NMOS管,其源极接第六NMOS管的漏极,其漏极接第二输出点,漏极还通过电容接地;第六NMOS管,其源极接地,栅极接信号输入端。本实用新型的优点是电压比较稳定,没有了漏极寄生电容充放电的问题,开关速度快,而且没有电荷分流的问题。同时解决了数字控制信号电荷注入的问题。