一种GaAs HBT功率器件
基本信息
| 申请号 | CN201610172324.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107230708A | 公开（公告）日 | 2017-10-03 |
| 申请公布号 | CN107230708A | 申请公布日 | 2017-10-03 |
| 分类号 | H01L29/737;H01L23/367 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周佳辉;郭嘉帅;钱永学;孟浩 | 申请（专利权）人 | 上海昂兆电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张瑾 |
| 地址 | 200100 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路666号银冬路122号5幢5层01单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种GaAsHBT功率器件，所述GaAsHBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAsHBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAsHBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。本发明能够有效改善GaAsHBT功率器件由于自热和热耦合引起的电流增益崩塌现象，提高工作效率。 |
