一种用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202210141635.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114551249A | 公开（公告）日 | 2022-05-27 |
| 申请公布号 | CN114551249A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L23/34（2006.01）I;H01L25/18（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育;陈永金 | 申请（专利权）人 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法，通过将耗尽型GaNHEMT器件通过机械减薄得到芯片的晶圆，并将晶圆切割至预设尺寸，将胶带贴在晶圆的背面且用铁圈固定起来，采用晶片切割机将晶圆片切成一颗颗芯片，将切割后的芯片放置在导线架或基板中的晶片座上，并以银浆或金‑硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入压焊机物料轨道，先用铝线后用铜线进行压焊得到待封装器件，将待封装器件的栅极和启动管的源极分别使用金属加厚并进行键合形成用于耗尽型GaNHEMT器件的堆叠封装结构，通过在芯片上堆叠封装Si增强型VDMOS，大大增加了功率器件芯片的热耗散，提高了器件工作的可靠性。 |
