一种功率器件封装方法及封装框架
基本信息
| 申请号 | CN202111604408.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334670A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334670A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育 | 申请（专利权）人 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了功率器件封装方法，提供用于封装功率MOS管的封装框架，封装框架包括金属垫片、第一金属层、第二金属层、绝缘导热层和间隔排列的三个金属电极，绝缘导热层环设于金属垫片的四周，第一金属层和所述第二金属层对称设置于绝缘导热层两侧，第一金属层与第二金属电极连接，第二金属层与第一金属电极连接，金属垫片与第三金属电极连接，将功率MOS管的漏极与金属垫片焊接，在封装框架表面进行金属蒸发工艺，在蒸发金属表面进行光刻，去除部分蒸发金属形成位于封装框架上的栅极连接线和源极连接线，封装框架表面进行树脂包裹、塑封，以形成功率MOS管的直插式封装，有效避免了单个芯片反复打线过程，提高了功率MOS管的封装效率。 |
