用于快速充电管理系统的静电防护芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111107691.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113937098A | 公开（公告）日 | 2022-01-14 |
| 申请公布号 | CN113937098A | 申请公布日 | 2022-01-14 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾岚雁;林河北;胡慧雄 | 申请（专利权）人 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了用于快速充电管理系统的静电防护芯片，包括衬底、形成在衬底上的第一外延层、第一外延层上的第一注入区、第一注入区上的第二注入区及第二注入区上的第二外延层，自第二外延层延伸至第一外延层内的第一沟槽、位于第一沟槽之间的第二沟槽，第一沟槽内填充氧化硅层，第二沟槽内填充第三外延层，形成在第三外延层内的第三注入区、第二外延层内的第四注入区、第一介质层和第二介质层、位于第一介质层和第二介质层之间的第一接触孔及第二接触孔，第一接触孔内和第一介质层上的第一金属层，第二介质层上和第二接触孔内的第二金属层。本发明还提供用于快速充电管理系统的静电防护芯片制备方法，提高了放电密度，也降低了器件的制造成本。 |
