一种用于充电管理的T型柱芯片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111313491.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141625A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141625A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾岚雁;林河北;胡慧雄 | 申请（专利权）人 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了用于充电管理的T型柱芯片的制备方法，包括在第一外延层上形成第一沟槽，对第一沟槽光刻形成位于第一沟槽两侧的第二沟槽，沿第一刻蚀窗口光刻去除部分第二外延层形成第三沟槽，向第三沟槽内填充多晶硅形成第一多晶硅层，沿第二刻蚀窗口光刻去除所述第二外延层形成第四沟槽，对所述第四沟槽进行光刻，去除第二沟槽内的第二外延层和部分第一多晶硅层形成与第四沟槽垂直的第五沟槽和位于第五沟槽上的第二多晶硅层，去除第二多晶硅层露出所述第一沟槽，向第一沟槽内填充第三外延层，去除第一沟槽内的第三外延层，保留第二沟槽内的第二外延层、第三外延层，向第一沟槽内填充第四外延层，调整PN柱电荷平衡，提升了器件的工作性能。 |
