一种场效应管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110328230.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113097305A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113097305A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林河北;覃尚育;张泽清;葛立志 | 申请（专利权）人 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层（华昌路工业区14栋1-3层，17栋1-3层） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体芯片技术领域，公开了场效应管包括在碳化硅衬底形成第一外延层，在第一外延层上的第二外延层，间隔形成在第二外延层内的第一注入区，第二外延层包括第一子外延层和第二子外延层，第一子外延层位于第一注入区之间，在衬底上形成导电类型不同的两层外延层，在第二子外延层之间并与第一子外延层形成第二注入区，以及形成在第二子外延层内并远离第二注入区的第三注入区，贯穿第二外延层并延伸至第一外延层内的沟槽、形成在沟槽的侧壁和沟槽的底部的氧化层、以及形成在氧化层上的多晶硅，沟槽与第一注入区、第二子外延层和第三注入区连接，还公开了场效应管制备方法，提高了器件的工作性能，降低了器件的导通电阻。 |
