一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610960164.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106548828B | 公开（公告）日 | 2017-10-20 |
| 申请公布号 | CN106548828B | 申请公布日 | 2017-10-20 |
| 分类号 | H01B13/00;H01B1/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宋伟杰;徐峰;许炜;沈文锋 | 申请（专利权）人 | 道明光学股份有限公司 |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 谢潇 |
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种提高银纳米线透明导电膜导电性和透过率的方法，通过在室温和常压下，使用特定浓度的季铵盐表面活性剂溶液浸泡银纳米线透明导电膜，去除银纳米线表面包覆的聚乙烯吡咯烷酮PVP，PVP去除后，由于银纳米线的高表面能，银纳米线之间的结点将会接触、自动融合焊接，使银纳米线之间的结电阻得到显著降低，从而在提高银纳米线透明导电膜导电性的同时，提高了其透过率，避免了传统高温高压焊接对银纳米线导电网络和基底的破坏。本发明方法操作简便、成本低廉，适合于大规模工业生产。 |
