一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310684573.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103730194B | 公开（公告）日 | 2016-02-24 |
| 申请公布号 | CN103730194B | 申请公布日 | 2016-02-24 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈文锋;徐青松;黄琦金;杨晔;宋伟杰 | 申请（专利权）人 | 道明光学股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 地址 | 213144 江苏省常州市钟楼区邹区镇工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法。在柔性衬底上依次制备下AZO导电层、银纳米线导电层和上AZO导电层银纳米线导电层，其中采用多元醇法制备银纳米线导电层的过程中聚乙烯吡咯烷酮：金属盐：硝酸：硝酸银的摩尔比为1.5～6：1.5×10-3～3×10-3：0.01～0.5：1。所得到的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜，提高了银纳米线透明导电复合薄膜的粘附性和稳定性，有利于提高银纳米线透明导电复合薄膜的稳定性和导电性，且采用AZO薄膜和柔性衬底，降低了制备成本，增加了材料的柔韧性。本发明的基于银纳米线透明导电复合薄膜，适用于柔性电子器件中，易于器件集成，且制备工艺简单，适合工业生产。 |
