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异质结太阳能电池及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110035157.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112864284A	公开（公告）日	2021-05-28
申请公布号	CN112864284A	申请公布日	2021-05-28
分类号	H01L31/20;H01L31/0747	分类	基本电气元件;
发明人	张津燕;吴科俊;王琳;陈金元	申请（专利权）人	理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
法律状态	-

摘要

本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％‑Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％‑Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。本发明有助于改善电池的内建电场、提高电池转换效率。