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用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池

基本信息

申请号	CN202111114265.0	申请日	-
公开（公告）号	CN113921661A	公开（公告）日	2022-01-11
申请公布号	CN113921661A	申请公布日	2022-01-11
分类号	H01L31/20（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/505（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	马哲国;陈金元	申请（专利权）人	理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
法律状态	-

摘要

本发明提供一种用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述方法首先通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒清洗；然后通过本征PECVD工艺在N型单晶硅片的正反面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着通过第一、第二、第三N型PECVD工艺分别在第一本征非晶硅层上依次形成第一、第二以及第三N型非晶微晶混合层；接着通过P型PECVD工艺在第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；然后在第三N型非晶微晶混合层以及P型非晶硅层上分别形成第一以及第二透明导电膜；最后通过丝网印刷工艺在第一以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极。本发明能解决生产节拍过慢、产能较低、低温下非晶硅薄膜品质差的问题，提高电池效率。