TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备
基本信息
| 申请号 | CN201910971563.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110767774B | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN110767774B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马哲国 | 申请（专利权）人 | 理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201315 上海市松江区思贤路3255号3幢403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供TOPCon太阳能电池的制造方法及其非晶硅晶化的方法和设备。所述晶化的方法包括：(a).提供用于TOPCon太阳能电池的且背面依次沉积有氧化层和非晶硅层的硅片；(b).接收硅片并将其在800‑950℃的温度下进行20至40分钟的热处理，以将非晶硅层晶化成多晶硅层；以及(c).接收硅片并将其在比步骤(c)温度低50‑300℃的降低温度下进行1至5分钟的降温热处理，并在每个降温热处理之后将硅片在800‑1000℃的温度下进行10秒至5分钟的热处理以释放应力。本发明能有效避免非晶硅晶化爆膜。 |
