相位调制改变PECVD放电腔内电磁场分布的方法
基本信息
| 申请号 | CN201811170053.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111020533B | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN111020533B | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C23C16/505（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘传生;陈金元 | 申请（专利权）人 | 理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201620上海市松江区思贤路3255号3幢403室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在具有射频电源的PECVD放电腔内，通过相位调制器将电极板上的不同电源馈入点间设置不同的相位，并在等离子体响应时间内，改变相位差以及此相位差的持续时间从而改善等离子体所响应的电磁场的均匀性。 |
