一种适用于三元前驱体合成过程中防氧化的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910861496.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110433760B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN110433760B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | B01J19/18（2006.01）I;B01J19/00（2006.01）I | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 成仲华;孙俊刚;李冬球;王超;王涛;王思琦 | 申请（专利权）人 | 浙江华友钴业股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 324000浙江省衢州市柯城区廿新路18号9幢1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种适用于三元前驱体合成过程中防氧化的方法，包括依次相连的保护气管道Ⅰ、反应釜、连通管、溢流管、保护气管道Ⅱ、中间槽、呼吸阀、保护气管道Ⅲ、喇叭口、尾气吸收总管，保护气管道Ⅲ与呼吸阀的进气口相连，喇叭口与呼吸阀的出气口相连。本发明通过采用浆料分离及保护气氛围保护的方法，在三元前驱体合成过程中，将小颗粒分离，减缓氨浓度变化带来的不利影响，采用保护气氛围保护，隔绝外界氧气，保证产品颗粒不被氧化，避免了还原剂的使用以及氨泄漏带来的环境污染和安全隐患。 |
