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适用于RF器件的封装结构

基本信息

申请号	CN201921539304.X	申请日	-
公开（公告）号	CN211208425U	公开（公告）日	2020-08-07
申请公布号	CN211208425U	申请公布日	2020-08-07
分类号	H01L23/31;H01L23/492;H01P1/20;H01L23/552	分类	-
发明人	王建国;申亚琪	申请（专利权）人	苏州捷研芯电子科技有限公司
代理机构	南京艾普利德知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	苏州捷研芯电子科技有限公司
地址	215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区05幢102室
法律状态	-

摘要

本实用新型揭示了适用于RF器件的封装结构，包括基板，基板上设置有从其上表面延伸到下表面的焊盘，焊盘通过金凸点倒装连接至少一芯片，芯片下表面的微机电结构朝向所述基板，基板上覆盖有包裹所述芯片的低流动性薄膜，低流动性薄膜与所述基板和芯片围合形成一密闭腔体且其上覆盖有高固化强度防水膜，高固化强度防水膜上形成有屏蔽层。本方案通过设置2层膜结构+1层金属屏蔽和保护结构，确保核心功能区生成一个密封空腔结构，有效的实现了小型化可靠性高、电性能好、适合规模化生产、良率高和成本低，此方案可用作声表面波滤波器SAW、体声滤波器BAW/FBAR、射频微机械（MEMS）开关、有源振荡器和谐振器等器件，市场前景广阔，便于推广应用。