一种降低芯片Wire-Bond裂率的工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111082067.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113808955A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113808955A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李伟 | 申请（专利权）人 | 安徽大衍半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 合肥东信智谷知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹雪娇 |
| 地址 | 247100安徽省池州市青阳县蓉城镇经济开发区东河园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种降低芯片Wire‑Bond裂率的工艺，包括以下步骤：S1加热烧球、S2焊头移至第一焊点、S3第一焊点压焊、S4放线转移、S5焊头移至第二焊点、S6第二焊点压焊、S7拉断尾丝和S8焊头复位；所述焊线为金银合金线，包含金、银、钯，其中银的质量分数不低于94.5％。焊线2更换为含银量94.5％～96.5％，含金量0.8％～1.2％，含钯量2.8％～3.5％的SAG5‑Ag金银合金线，SAG5‑Ag金银合金线相对于镀钯铜线来说质地较软，在压焊的过程中，SAG5‑Ag金银合金线可以充分形变，减小对键合衬垫4的压力，防止键合衬垫4在压焊过程中碎裂，提高良品率。 |
