一种MicroOLED器件结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110719205.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437240A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437240A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L51/52（2006.01）I;H01L51/50（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹君;刘胜芳;赵铮涛 | 申请（专利权）人 | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马荣 |
| 地址 | 241000安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种应用于Micro OLED技术领域的Micro OLED器件结构的制备方法，本发明还涉及一种Micro OLED器件结构，所述的Micro OLED器件结构制备方法的制备步骤为：在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板（a）；在CMOS基板（a）上制备Anode层（b）；在Anode层（b）上通过黄光制程制备PDL层（c），PDL层（c）分为三层，第一层为聚酰亚胺或无机层，第二层为Ag，第三层为聚酰亚胺或无机层；蒸镀制程制备OLED层（d）；制备TFE层（h）；完成后续黄光及模组制程，本发明所述的Micro OLED器件结构制备方法及结构，使得反射层能够将斜射的光线反射回去，减轻出光的散射效应，达到降低串光的效果。 |
