一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110664707.2 申请日 -
公开(公告)号 CN113410410A 公开(公告)日 2021-09-17
申请公布号 CN113410410A 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吕磊;李维维;刘胜芳;许嵩;刘晓佳;赵铮涛 申请(专利权)人 安徽熙泰智能科技有限公司
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人 任晨晨
地址 241000安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法,包括在硅基OLED的阳极反射金属层和透明金属氧化物ITO层之间增加一层薄层的纳米金属团簇,利用OLED发光过程中光子激发纳米金属团簇形成表面等离子激元效应,通过表面等离子激元电‑光转换效应进一步提高OLED发光效率。本发明控制纳米金属团簇的主要成分、制备工艺,控制团簇膜层厚度与阳极对应的像素的发光颜色匹配,激发发光,进一步提高发光效率。