半导体模型及其模型建立方法
基本信息
| 申请号 | CN202110429245.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113128155A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113128155A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | G06F30/367（2020.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 傅飞;朱能勇 | 申请（专利权）人 | 南京华大九天科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址 | 211800江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2305室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种半导体模型及其模型建立方法，该半导体模型包括：场效应晶体管模型，包括场效应晶体管的栅极、源极、漏极和体电极四个连接端；第一二极管模型，包括第一二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和漏极之间；第二二极管模型，包括第二二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和源极之间，第一二极管模型和第二二极管模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性。该半导体模型及其模型建立方法通过在场效应晶体管外部构建第一二极管模型和第二二极管模型，并通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性，使得模型能更好地反映器件特性，解决收敛性问题并保证仿真准确性。 |
