硅芯腐蚀工艺
基本信息
| 申请号 | CN201110137823.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102206822B | 公开（公告）日 | 2012-10-17 |
| 申请公布号 | CN102206822B | 申请公布日 | 2012-10-17 |
| 分类号 | C30B33/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 周大荣 | 申请（专利权）人 | 无锡中彩科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214183 江苏省无锡市惠山区玉祁镇工业集中区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种硅芯腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤：（1）将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10~20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0.5~1%的双氧水，碱溶液的温度为50~60℃；（2）一级漂洗：将硅芯放入纯水中漂洗5~10分钟以去除碱溶液；（3）中和：将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液；（4）二级漂洗：将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5~10分钟以去除氢氟酸溶液；（5）洁净：将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30~50分钟；（6）烘干：将硅芯置于烘箱中烘干。本发明的优点是：本发明所述方法的成本只有酸腐蚀的一半，且腐蚀液可反复使用；不会产生氮化物污染环境，且对人体不会造成危害。 |
