冷壁流化床及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201310120330.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103172067B | 公开（公告）日 | 2014-09-24 |
| 申请公布号 | CN103172067B | 申请公布日 | 2014-09-24 |
| 分类号 | C01B33/03(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 杨恺;周大荣;郑小勇;孙建荣;蒋敏;顾豪杰 | 申请（专利权）人 | 无锡中彩科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214183 江苏省无锡市惠山区玉祁街道玉东开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种冷壁流化床及其应用，属于多晶硅制备技术领域。其提供一种以改进的冷壁流化床，及以其为设备，用三氯氢硅（SiHCl3）和H2为原料，在冷壁流化床内，高温加压下发生还原反应，制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅。本发明以此冷壁流化床为基础，制备高纯度颗粒状太阳能级多晶硅，其生产过程简单方便，适于工业化生产。 |
