一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置

基本信息

申请号 CN202010268780.3 申请日 -
公开(公告)号 CN111430259A 公开(公告)日 2020-07-17
申请公布号 CN111430259A 申请公布日 2020-07-17
分类号 H01L21/66;G03F7/40 分类 -
发明人 张运波;高海军;李昂;熊金磊 申请(专利权)人 江苏匠岭半导体有限公司
代理机构 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 代理人 江苏匠岭半导体有限公司
地址 215500 江苏省苏州市常熟市东南街道东南大道1150号10-1幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置,包括两个平行设置的线扫相机,其内部分别包括感光元件、成像镜头;两个线扫相机的感光元件长轴平行且共线;每个线扫相机的感光元件长轴与其成像镜头的光轴垂直且共面;直线运动平台运动方向与成像镜头光轴方向平行;还包括两个反射镜和两个光源;两个光源入射至硅片后,反射光通过第二反射镜反射之后,再经过第一反射镜分别反射至两个平行设置的成像镜头。本发明提出的用于显影后检测的装置,可对显影后的硅片的图形和缺陷进行检测,提高半导体工艺的良品率,并且具有结构紧凑,高分辨率的特点。