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一种双沟槽晶片

基本信息

申请号 CN201820120099.2 申请日 -
公开（公告）号 CN207818604U 公开（公告）日 2018-09-04
申请公布号 CN207818604U 申请公布日 2018-09-04
分类号 H01L33/20 分类 基本电气元件;
发明人 程崑岚;查平 申请（专利权）人 固镒电子（芜湖）有限公司
代理机构 北京风雅颂专利代理有限公司 代理人 固镒电子（芜湖）有限公司
地址 241000 安徽省芜湖市鸠江区经济技术开发区之出口加工区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种双沟槽晶片，属于电子产品领域，该双沟槽晶片包括晶片本体，晶片本体的正面开设有多对横向双沟槽和多对纵向双沟槽，横向双沟槽与纵向双沟槽呈十字交叉状设置；每对横向双沟槽之间形成了一个横向切割区，每对纵向双沟槽之间形成了一个纵向切割区，横向切割区与纵向切割区宽度相同，两个相邻横向切割区之间的距离与两个相邻纵向切割区之间的距离也相同，并且横向双沟槽和纵向双沟槽内均填充有玻璃介质。本实用新型相比于现行的单沟槽晶片大大提高了晶片的优品率，能够实现晶粒100％的完好，减少了人工筛检的压力；同时采用正面切割的方式，就算是破损的晶片也可以进行切割，这也节约了生产成本。