一种薄膜太阳能芯片
基本信息
申请号 | CN201220321366.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN202721143U | 公开(公告)日 | 2013-02-06 |
申请公布号 | CN202721143U | 申请公布日 | 2013-02-06 |
分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请(专利权)人 | 广东凯盛光电科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 518000 广东省东莞市松山湖科技产业园区工业北四路松山湖工业大厦414-418室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种薄膜太阳能芯片,1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上,中间有钼薄膜所述铜铟镓硒薄膜层上面镀有硫化镉薄膜层、氧化锌绝缘层和透明导电氧化锌参铝薄膜层,所述玻璃基板内有光刻胶或其它绝缘体,还铺有金属电极薄膜,透明导电氧化锌参铝薄膜层上镀镍,镍上有导电铝薄膜,该导电铝薄膜上面加上一层保护镍薄膜,保护镍薄膜上有钠钙覆盖玻璃,避免了薄膜芯片受污染,能大批量的生产。 |
