一种薄膜太阳能芯片

基本信息

申请号 CN201220321366.5 申请日 -
公开(公告)号 CN202721143U 公开(公告)日 2013-02-06
申请公布号 CN202721143U 申请公布日 2013-02-06
分类号 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 申请(专利权)人 广东凯盛光电科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518000 广东省东莞市松山湖科技产业园区工业北四路松山湖工业大厦414-418室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种薄膜太阳能芯片,1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上,中间有钼薄膜所述铜铟镓硒薄膜层上面镀有硫化镉薄膜层、氧化锌绝缘层和透明导电氧化锌参铝薄膜层,所述玻璃基板内有光刻胶或其它绝缘体,还铺有金属电极薄膜,透明导电氧化锌参铝薄膜层上镀镍,镍上有导电铝薄膜,该导电铝薄膜上面加上一层保护镍薄膜,保护镍薄膜上有钠钙覆盖玻璃,避免了薄膜芯片受污染,能大批量的生产。