低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池
基本信息
| 申请号 | CN201220234809.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202721142U | 公开（公告）日 | 2013-02-06 |
| 申请公布号 | CN202721142U | 申请公布日 | 2013-02-06 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请（专利权）人 | 广东凯盛光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省东莞市松山湖科技产业园区工业北四路松山湖工业大厦414-418室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，在钠钙玻璃基板上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜，在所述钼薄膜镀有约0.7至2.0微米厚，或1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜及晶体，在铜铟镓硒薄膜及晶体与其上表面有“p-n结”薄膜区域。使用低温溅射，不会使“硒(Se)”流失，并能促进玻璃基板放气，促进薄膜间的粘合度，并启动“铜铟镓硒”晶体的生长。表中“铟”与“镓”的成分是我们常见的比例，Ga/(Ga+In)的比例也是十分理想的，要靠近0.3但不超过0.3，以求得最优化的“带宽(band?gap)”，适宜批量生产并精准的低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池。 |
