一种薄膜太阳能芯片
基本信息
| 申请号 | CN201120164325.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202268358U | 公开（公告）日 | 2012-06-06 |
| 申请公布号 | CN202268358U | 申请公布日 | 2012-06-06 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马给民 | 申请（专利权）人 | 广东凯盛光电科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区海王大厦A-13F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种薄膜太阳能芯片，1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上，中间有钼薄膜所述铜铟镓硒薄膜层上面镀有硫化镉薄膜层、氧化锌绝缘层和透明导电氧化锌参铝薄膜层，所述玻璃基板内有光刻胶或其它绝缘体，还铺有金属电极薄膜，透明导电氧化锌参铝薄膜层上镀镍，镍上有导电铝薄膜，该导电铝薄膜上面加上一层保护镍薄膜，保护镍薄膜上有钠钙覆盖玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生产。 |
