ITO-Zr透明导电膜
基本信息
| 申请号 | CN201020218343.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201809433U | 公开（公告）日 | 2011-04-27 |
| 申请公布号 | CN201809433U | 申请公布日 | 2011-04-27 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 曾鸿斌 | 申请（专利权）人 | 浙江瀚森应用材料有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市睿智专利事务所 | 代理人 | 陈鸿荫;郭文姬 |
| 地址 | 518108 广东省深圳市宝安区石岩径贝海森工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种ITO-Zr透明导电膜，包括透明基材层和在所述透明基材层上沉积ITO导电膜时通过Zr掺杂处理所获得的ITO-Zr导电层。与现有技术相比，本实用新型具有以下技术效果：其在常温20℃下沉积的ITO-Zr膜电阻率较之常规ITO膜降低65％以上，可见光透过率提高约2％，热稳定性和耐化学性都有明显提高。 |
