IZAO透明导电膜的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201019164051.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102140623A | 公开（公告）日 | 2011-08-03 |
| 申请公布号 | CN102140623A | 申请公布日 | 2011-08-03 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 曾鸿斌 | 申请（专利权）人 | 浙江瀚森应用材料有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市睿智专利事务所 | 代理人 | 陈鸿荫;郭文姬 |
| 地址 | 518108 广东省深圳市宝安区石岩径贝海森工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种IZAO透明导电膜的制造方法，采用双阴极直流磁控同时溅射In2O3靶和ZAO靶，形成锌铝掺杂的IZAO膜；所述ZAO靶是在ZnO中掺杂Al2O3形成的陶瓷靶材，其中ZAO靶中Al2O3掺杂的重量比是2-4％，在双阴极靶溅射时，改变In2O3靶和ZAO靶的直流输入功率以改变IZAO膜的Al2O3掺杂比例。同现有技术相比较，本发明的技术效果在于：解决高低温成膜电阻率相差大的问题，通过使用本发明方法制成的IZAO透明导电膜是非晶结构，改善了导电膜表面平滑度，减小了由于结晶晶界引起的光散射，展宽了光学能隙，改善了蓝光波段的透过率。 |
