应用于高密度集成SPAD阵列的淬灭电路与整形电路
基本信息
| 申请号 | CN201810826014.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110763334A | 公开（公告）日 | 2020-02-07 |
| 申请公布号 | CN110763334A | 申请公布日 | 2020-02-07 |
| 分类号 | G01J1/44 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 毛成;卜晓峰;孔祥顺;吴俊辉 | 申请（专利权）人 | 苏州超锐微电子有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215011 江苏省苏州市高新区竹园路209号创业园3号楼1201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于高密度集成SPAD阵列中的淬灭电路以及整形电路，该电路主要包含PMOS被动淬灭电路以及整形电路。该淬灭电路利用SPAD雪崩后的大电流在PMOS管上的电压降进行被动淬灭，产生脉冲信号，该脉冲信号通过反相器进行整形，并增加驱动能力。本发明电路结构简单，可有效减小版图面积，尤其适用于高密度集成SPAD阵列中；同时本发明电路功能完整，满足高密度集成SPAD阵列中单一像素所需的电路要求。 |
