一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法
基本信息
| 申请号 | CN201010591103.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102127371B | 公开（公告）日 | 2015-06-10 |
| 申请公布号 | CN102127371B | 申请公布日 | 2015-06-10 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张贺;陈小龙;黄青松;王锡铭 | 申请（专利权）人 | 苏州天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215163 江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路189号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于高质量抛光碳化硅晶片表面的抛光液、抛光液的制备方法以及使用该抛光液的方法。该抛光液由去离子水、二氧化硅抛光液、辅助氧化剂、PH调节剂配制而成。利用此方法配制的抛光液无气味，分散均匀，状态稳定，无沉淀，可适当循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，50倍显微镜下观测无明显划痕且平整、均与，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到纳米级。该抛光液的使用循环次数，可以通过改变加入辅助氧化剂和PH调节剂的量或者二者不同的比例来调节。 |
