一种梁膜结构的硅压力传感器芯片制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111110193.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113790834A | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN113790834A | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | G01L1/18（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王帆;郭立建;赵娟;喻磊 | 申请（专利权）人 | 华东光电集成器件研究所 |
| 代理机构 | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨晋弘 |
| 地址 | 233030安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种梁膜结构的硅压力传感器芯片制作方法，它包括以下步骤：a）第一硅片和第二硅片的键合，b）第一硅片的减薄，c）压阻的制作，d）压阻桥的制作，e）梁结构的制作，f）背腔的制作。本发明操作简单、实用，制作流程清晰，能可以精确控制硅梁和硅膜的厚度，提高了压力传感器芯片性能的一致性。 |
