一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111110194.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113790835A | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN113790835A | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | G01L1/18（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王帆;周宁;曹卫达;白建新 | 申请（专利权）人 | 华东光电集成器件研究所 |
| 代理机构 | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨晋弘 |
| 地址 | 233030安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种岛膜结构的硅压力传感器芯片制造方法，其特征在于：它包括以下步骤1）选取第一硅片（1）；2）背腔和硅岛制作；3）衬底片制作；4）晶圆级键合；5）底层硅和埋氧层去除；6）压阻制作；7）接触孔制作；8）引线制作。本发明具有操作方便、步骤清晰，可以使得硅岛膜结构一次成型，硅岛的高度可以精确控制，并且兼容湿法腐蚀工艺。 |
