一种MOCVD反应室及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202110223326.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113088929A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113088929A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | C23C16/44（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 黄珊珊;黄辉廉;刘雪珍;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人 | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 伍传松 |
| 地址 | 528437广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MOCVD反应室及其应用，该反应室包括反应室腔体（1）、上承载盘（2）、下承载盘（3）、氢化物气源进气口（4）、有机化合物气源进气口（5）、挡板（6）和出气口（7）；其中，所述上承载盘（2）中还设有上加热丝；所述下承载盘（3）中还设有下加热丝和高度调整装置；所述下承载盘（3）能够上下移动；所述挡板（6）能够上下移动。其用于原位双面生长，通过将有机化合物气源及氢化物气源进气口分开并用挡板隔离开来，避免了预反应，降低反应室内附着物、颗粒物等产生的几率，改善了外延片的表观。 |
