一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011604325.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112713201B | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN112713201B | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/055;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏婷婷;王兵;杜伟;黄辉廉;何键华 | 申请（专利权）人 | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 伍传松 |
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法，柔性砷化镓太阳能电池芯片包括：外延层；依次层叠设置于所述外延层下表面的第一电极、铜衬底及碳纳米管薄膜；覆盖于所述外延层上表面的减反射膜与接触层；第二电极，设置于所述接触层上表面。通过在铜衬底表面制备了一层碳纳米管薄膜，利用碳纳米管薄膜的材料特性，既保证了铜衬底的导电性，同时提升了铜的抗氧化能力，并对柔性芯片翘曲度有一定改善。 |
