一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202110370564.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113252205A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113252205A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | G01K11/00;G01N21/55;H01L31/12 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 刘雪珍;张小宾;高熙隆;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人 | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 伍传松 |
| 地址 | 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于晶格失配外延材料的RT探测器及其应用，该适用于晶格失配外延材料的RT探测器包含一个光源和若干个子接收器；所述若干个子接收器的分布方式为阵列式分布；所述光源用于发出入射光，所述入射光传播到外设外延片表面形成光信号；所述子接收器用于接收由对应外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；其实现了晶格失配结构外延片生长过程中生长温度的精确监控。 |
