一种降低镍钴锰三元前驱体中钙含量的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010868338.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112186170B | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN112186170B | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01M4/485（2010.01）I;H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 葛广凯;李明祥;王梁梁;朱用;赵亮 | 申请（专利权）人 | 南通金通储能动力新材料有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 马明渡 |
| 地址 | 226000江苏省南通市开发区新开南路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种降低镍钴锰三元前驱体中钙含量的方法，针对制备好的镍钴锰三元前驱体，其钙含量为30~200ppm，本方法包括以下步骤：步骤一.在搅拌的条件下，将镍钴锰三元前驱体加入水中进行浆化，得浆化液。步骤二.将浆化液与硫酸盐溶液混合并充分进行反应，生成氢氧化物和硫酸钙；硫酸盐与氢氧化钙的摩尔比为2~5:1，硫酸盐选用硫酸镍、硫酸钴和硫酸锰中的至少一种。步骤三.将所得产物固液分离，将固相洗涤、干燥，得处理后的镍钴锰三元前驱体。解决现有技术没有针对镍钴锰三元前驱体来降低其钙含量的方法，若应用现有降低原材料钙含量的方法，则会引入新的杂质，影响三元正极材料的性能的技术问题。 |
