一种改善锗单晶籽晶缺陷的制作加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202111156655.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113957520A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113957520A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | C30B15/36（2006.01）I;C30B29/08（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 崔丁方;张文泽熹;韩帅民;龙正祥;张仕波;李双坐;赵国灿;郑勇;殷兆奎;李俊仪 | 申请（专利权）人 | 云南驰宏国际锗业有限公司 |
| 代理机构 | 北京名华博信知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛飞 |
| 地址 | 655011云南省曲靖市经济技术开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善锗单晶籽晶缺陷的制作加工方法，属于晶体加工领域，所述的改善锗单晶籽晶缺陷的制作加工方法采用以下步骤：步骤1、根据籽晶夹头大小和需要尺寸来拉制合适尺寸单晶；步骤2、通过更加细致的人工控制在后期需要加工锥度处缩颈一段；步骤3、采用慢放肩，放肩速度10‑15mm/h，放肩角度大于45°斜放肩方式。本发明大幅提高锗籽晶电阻率均匀性，降低籽晶位错密度和内部缺陷，生长优质的籽晶原材料。 |
