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一种具有温补结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210512113.4 申请日 -
公开（公告）号 CN114614793A 公开（公告）日 2022-06-10
申请公布号 CN114614793A 申请公布日 2022-06-10
分类号 H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/04（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 高安明;姜伟 申请（专利权）人 浙江星曜半导体有限公司
代理机构 温州知远专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 325000浙江省温州市浙南科技城创新创业新天地一期1号楼506室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有温补结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法，属于薄膜体声波谐振器技术领域。本发明通过采用二氧化硅作为温度补偿层，解决了常规薄膜体声波谐振器温度系数为负的问题，从而有效地提高了谐振器的温度稳定性；通过采用氮化硅与二氧化硅共同组成的温度补偿层，解决了单一二氧化硅作为温度补偿层时，对谐振器的Q值和机电耦合系数影响较大的问题；通过采用氟氧化硅作为温度补偿层，解决了二氧化硅作为温度补偿层时，对谐振器性能影响加大的问题，可以有效地帮助谐振器实现高温度稳定性、高Q值和高机电耦合系数；通过采用在压电材料中内嵌温度补偿层的结构，进一步优化温度补偿效果，解决了由温度补偿层所引入的电容的影响。