一种倒装发光二极管芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201510796968.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106711302A | 公开（公告）日 | 2017-05-24 |
| 申请公布号 | CN106711302A | 申请公布日 | 2017-05-24 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨杰;常文斌;郝茂盛;林宇杰 | 申请（专利权）人 | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201108 上海市闵行区元明路128号一层、二层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，所述倒装发光二极管芯片包括：衬底、外延结构、透明导电层、反射镜、绝缘沟槽、绝缘阻挡层、台面结构、反射导电层、钝化层、N电极以及P电极。本发明于倒装发光二极管芯片周侧做沟道绝缘，可以减少芯片的漏电流；于切割道区域增加反射镜，有利于提高产品亮度；另外，本发明将N‑GaN的引出制作于N‑GaN的侧壁及切割道区域，可以大大增加发光二极管的有效发光面积，提升光亮度；藉由N反射导电层以及P电极预留区域，在钝化层开孔后可以直接制作N电极及P电极，减少工艺步骤，降低生产成本。 |
