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一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN201410331908.0 申请日 -
公开（公告）号 CN105280767B 公开（公告）日 2018-02-16
申请公布号 CN105280767B 申请公布日 2018-02-16
分类号 H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 林宇杰 申请（专利权）人 上海博恩世通光电股份有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 上海博恩世通光电股份有限公司
地址 201108 上海市闵行区元明路128号一层、二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种带蓝宝石衬底的垂直LED芯片结构及其制造方法，所述垂直LED芯片结构包括：蓝宝石衬底；发光外延结构，结合于所述蓝宝石衬底表面，包括N型层、量子阱层及P型层，且所述发光外延结构去除了周侧区域的P型层及量子阱层，露出该周侧区域的N型层；P电极，结合于所述P型层表面；绝缘层，结合于所述P型层表面、及P型层与量子阱层侧壁；透明导电层，包覆于所述蓝宝石衬底、N型层侧壁及所述周侧区域的N型层。本发明不需要剥离蓝宝石衬底，工艺简单，成本较低；发光时，电流能从N型层的表面及侧壁流通，最终流向蓝宝石衬底的背面，可以提高LED发光电流的均匀度。本发明结构和工艺步骤简单，适用于工业生产。