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一种倒装发光二极管及其制作方法

基本信息

申请号	CN201610301781.7	申请日	-
公开（公告）号	CN107359222A	公开（公告）日	2017-11-17
申请公布号	CN107359222A	申请公布日	2017-11-17
分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨杰;常文斌;林宇杰	申请（专利权）人	上海博恩世通光电股份有限公司
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	上海博恩世通光电股份有限公司
地址	201108 上海市闵行区元明路128号一层、二层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种倒装发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：生长衬底；发光外延结构，形成于所述生长衬底之上，所述发光外延结构中形成有N电极台阶；ITO层，形成于所述发光外延结构表面，所述ITO层中形成有图形孔洞结构；Ag反射层，形成所述ITO层及图形孔洞结构内，并同时与ITO层及发光外延结构接触；N焊盘及P焊盘。本发明在溅射或蒸镀的ITO层上腐蚀或刻蚀出规则或不规则图形以单一或组合形式存在，接着蒸镀或溅射Ag反射层使其分别与ITO层与氮化镓发光外延接触，使得部分光线不需要进入ITO层就可以被反射出去，提高了发光二极管的亮度。另外，Ag同时与氮化镓及ITO层接触，提高了导电率，从而提高了电流的效率。