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碳化硅结型场效应管

基本信息

申请号	CN202022648802.7	申请日	-
公开（公告）号	CN213988892U	公开（公告）日	2021-08-17
申请公布号	CN213988892U	申请公布日	2021-08-17
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/808（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张梓豪	申请（专利权）人	派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构	北京知夏律师事务所	代理人	孙海龙
地址	311215浙江省杭州市萧山区平澜路518号悦盛国际中心603室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种碳化硅结型场效应管。该碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底（101）、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层（102）、阻断注入区（103）、设置在碳化硅外延层（102）的左右两侧的两个栅极注入区（104）和两个源极注入区（105）、以及栅极金属电极（107）和源极金属电极（106），该栅极注入区（104）的正向截面为L型，包括竖直边和垂直边，在侧向沿整个碳化硅外延层（102）延伸，两个栅极注入区（104）的L型截面的竖直边相背对；源极注入区（105）设置在对应的L型截面的横边上，沿整个碳化硅外延层（102）的侧向延伸，阻断注入区（103）与两个栅极注入区（104）的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱（110）相连接。