终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110704971.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437154A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437154A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈欣璐;黄兴;张梓豪;隋金池;汪剑华;杨朝阳 | 申请（专利权）人 | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 姚宇吉 |
| 地址 | 311215浙江省杭州市萧山区宁围街道悦盛国际中心603室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种终端有源区同设计SiC功率器件及其制备方法，涉及SiC功率器件领域，所述终端有源区同设计SiC功率器件中，形成所述元胞结构沟道的沟道注入区和终端区用于形成结终端的结终端注入区采用相同的掩蔽层刻蚀和离子注入工艺同时形成。通过在终端区和有源区采用相同的离子注入结构，解决了因图形区域密度不同导致的刻蚀侧墙角度不同而造成相应沟道离子注入时沟道尺寸不可控的问题。 |
