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一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件

基本信息

申请号 CN202020734542.2 申请日 -
公开（公告）号 CN212907743U 公开（公告）日 2021-04-06
申请公布号 CN212907743U 申请公布日 2021-04-06
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈欣璐;黄兴;陈然 申请（专利权）人 派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型；在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和漏极；在第一导电类型半导体外延层的有源区上设有JFET区，JFET区上设有第一表面、第二表面和第三表面，其中第一表面和第二表面从外到里分别设有第一导电类型源区和第二导电类型基区；第一表面上方设有源极，第三表面上方设有栅介质和栅极，第二导电类型基区和源极之间设置有第二导电类型注入体区，源极和栅极之间设置有极间隔离介质。