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一种GaN晶体管驱动电路

基本信息

申请号	CN202022648758.X	申请日	-
公开（公告）号	CN214228225U	公开（公告）日	2021-09-17
申请公布号	CN214228225U	申请公布日	2021-09-17
分类号	H03K17/687（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	陈欣璐;黄兴	申请（专利权）人	派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构	北京知夏律师事务所	代理人	孙海龙
地址	311215浙江省杭州市萧山区平澜路518号悦盛国际中心603室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种GaN晶体管驱动电路。其用于驱动一被驱动GaN晶体管，包括上下管电路和上下管控制电路，所述上下管电路包括上管和下管，所述上管和下管均为GaN晶体管，所述上管的漏极与电源电压（VCC）相连，栅极与数字输入（VIN）相连，源极与下管的漏极相连，并作为GaN晶体管驱动电路的输出与被驱动GaN晶体管的栅极相连；下管的栅极与上下管控制电路相连接；该上下管控制电路利用母线电压（VD）、电源电压（VCC）以及数字输入（VIN），对所述下管进行控制，从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输入（VIN）同相，所述上下管控制电路包括晶体管，并且所包括的晶体管均为GaN晶体管，在栅极被施加高于阈值电压的电压时导通。