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一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构

基本信息

申请号 CN202020593696.4 申请日 -
公开（公告）号 CN212676273U 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN212676273U 申请公布日 2021-03-09
分类号 H01L29/808(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄兴;陈欣璐;陈然 申请（专利权）人 派恩杰半导体（杭州）有限公司
代理机构 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 董世博
地址 310000浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构。其中具有相同栅源掺杂的场效应晶体管元胞结构，包括：碳化硅衬底，该碳化硅衬底材料的掺杂类型为第一导电类型；在碳化硅衬底的正面和背面分别设有第一导电类型半导体外延层和第一电极；在第一导电类型半导体外延层上依次设置有第二导电类型悬浮区、第一导电类型栅极注入区、第一导电类型源极注入区，栅极注入区上设置有栅极，源极注入区上设置有源极，栅极注入区和源极注入区之间设置有极间介质，所述极间介质用于对栅极和源极进行隔离。